Все вопросы к тесту (html) Физические основы электроники



Время, в течение которого транзистор находится в режиме насыщения после окончания импульса прямого базового тока, называется временем рассасывания:

Моделирование ставит своей задачей установление связей между физическими параметрами и электрическими характеристиками приборов:

При нормальном включении транзистора эмиттерный переход смещается в обратном направлении, а коллекторный - в прямом:

Усилительными называются приборы, способные усиливать электрическую мощность:

Четырехполюсник - линейный активный элемент:



Биполярный транзистор является усилительным прибором, так как он способен усиливать мощность:

В нормальном активном режиме эмиттерный переход включен в обратном направлении:

В схеме ОЭ управляющим током является ток базы:

Дифференциальное сопротивление коллекторного перехода обусловлено эффектом Эберса-Молла:

Длительность импульса тока увеличивается при его прохождении через транзистор:

Для увеличения потерь на рекомбинацию инжектированных в базу электронов эмиттерный и коллекторный переходы располагают на расстоянии, большем диффузионной длины:

Идеальный источник ЭДС имеет нулевое внутреннее сопротивление:

Источником инжектированных носителей заряда может быть плоский p-n-переход:

По быстродействию, сроку службы и надёжности механические ключи превосходят электронные:

При увеличении диффузионной длины инжектированных в базу электронов снижаются частотные свойства транзисторов:

Систему r-параметров называют системой параметров холостого хода:

Трансформатор усиливает ток за счет напряжения или напряжение за счет тока, но не усиливает мощность, поэтому он не является усилительным прибором: