Все вопросы к тесту (html) Электротехника и электроника



Аналоговая интегральная микросхема, имеющая 400 элементов, является

Аналоговая интегральная микросхема, имеющая 800 элементов, является

Биполярный транзистор имеет количество p-n-переходов, равное

Биполярный транзистор:

В активном режиме работы транзистора

В обозначении светодиода вторая буква указывает на

В обозначении светодиода первая буква указывает на

В оптопарах, используемых для развязки, в качестве фо­топриемника обычно применяются: 1) диод; 2) тиристор; 3) резистор; 4) пара диодов; 5) конденсатор; 6) воздушный трансформатор - из перечисленного

В режиме насыщения биполярного транзистора:

В режиме насыщения транзистора

В солнечных элементах фотодиоды работают в режиме

Время спада диода зависит от: 1) времени жизни носителей; 2) барьерной емкости диода; 3) диффузной емкости диода; 4) тока, протекающего через диод - из перечисленного

Время, за которое инжек­тируемые носители электричества проходят базу, называется

Входные характеристики биполярного транзистора для схемы с общей базой характеризуют

Генератор света высокой направленности, монохроматичности и когерентности называется

Гибридная схема:

Для гибридных микросхем отдельно изготавливают такие элементы, как

Для полевого транзис­тора выделяют три схемы вклю­чения с общим(-ей): 1) за­твором; 2) базой; 3) истоком; 4) стоком; 5) коллектором; 6) эмиттером - из перечисленного

Для характеристики диодов широко используются параметры: 1) дифференциальное сопротивление; 2) максимально допустимый постоянный прямой ток; 3) коэффициент влияния нестабильности источника питания; 4) максимально допустимое обратное напряжение - из перечисленного

Достоинствами ЖКИ являются: 1) малая потребляемая мощность; 2) не требуют источников посто­роннего света; 3) хорошая четкость знаков; 4) высокая яркость - из перечисленного

Если геометрическое расстояние между валентной зо­ной и зоной проводимости достаточно мало, то возникает пробой

Если при движении до очередного соударения с атомом дырка (или электрон) приобретает энергию, достаточную для ионизации атома, то возникает пробой

Зависимость тока от освещенности при заданном напряжении на фоторезисторе называется характеристикой

Из перечисленного математическая модель диода включает: 1) ВАХ диода 2) параметры диода 3) эк­вивалентную схему диода 4) математические выражения, описывающих элементы эквивалентной схемы

Из перечисленного по типу оптического канала между излучателем и фотоприемником различают оптопары: 1) с простым светопроводом; 2) с открытым оптиче­ским каналом; 3) с составным оптическим каналом; 4) с управляемым оптическим каналом; 5) с составным светопроводом - из перечисленного

Излучающий диод, работающий в видимом диапазоне волн, называют

Инерционность полевого транзистора опре­деляется в основном

Интегральная микросхема, имеющая N элементов, имеет степень интеграции

Интегральная схема:

Интервал, в течение которого обратное напряжение на диоде при его переключении начинает быстро возрастать (по модулю), называется временем

Источником когерентного оптического излучения является

Источником некогерентного оптического излучения является

К динамическим параметрам цифровых микросхем относятся: 1) время перехода из состоя­ния логического 0 в состояние логической 1; 2) напряжение источника питания; 3) коэффициент разветвления по выходу; 4) среднее время задержки распространения сигнала; 5) средняя потребляемая мощность - из перечисленного

К основным типам индикаторов относятся: 1) полупро­водниковые; 2) твердотельные; 3) вакуумные люминес­центные; 4) плазменные; 5) газоразрядные; 6) жидкокристаллические - из перечисленного

К статическим параметрам цифровых микросхем относятся: 1) время перехода из состоя­ния логического 0 в состояние логической 1; 2) напряжение источника питания; 3) коэффициент разветвления по выходу; 4) среднее время задержки распространения сигнала; 5) средняя потребляемая мощность - из перечисленного

К фотоприемникам дискретных сигналов предъявляются требования: 1) широкий спектр; 2) большой КПД; 3) высокое быстродействие; 4) возможность фотонного накопления - из перечисленного

К эксплуатационным параметрам микросхем относятся: 1) средняя потребляемая мощность; 2) диапазон рабочих температур; 3) допустимые механические нагрузки; 4) напряжение источника питания - из перечисленного

КПД солнечных элементов составляет

Компонентами оптоэлектронного прибора являются: 1) излучатель; 2) усилитель; 3) оптическая среда; 4) фотоприемник; 5) источник напряжения - из перечисленного

Концентрация неосновных носителей в полупроводнике сильно зависит от

Концентрация основных носителей в полупроводнике в основном определяется

Коэффициент полезного действия оптоэлектронных приборов составляет

МДП-транзистор со встроенным каналом может работать в режимах: 1) обеднения; 2) обогащения; 3) насыщения; 4) отсечки - из перечисленного

На практике тиристор обычно включают током управления

Наклон выходных характеристик транзистора для схемы с общей базой численно определя­ют

Наличие на прямой ветви вольт-амперной характеристики участка с отрица­тельным дифференциальным сопротивлением является характерной особен­ностью

Обозначениями светодиода являются: 1) АЛ316; 2) АЛСК31; 3) АЛС331; 4) А2619 - из перечисленного

Общая емкость p-n-перехода равна

Оптоэлектронный датчик:

Оптоэлектронными приборами являются: 1) излучатели; 2) приемники излучения; 3) стабисторы; 4) диоды Шоттки - из перечисленного

Оптрон:

Основными достоинствами оптоэлектронных приборов являются: 1) большой коэффициент полезного действия; 2) наличие разнородных материалов; 3) высокая пропускная способность оптического канала; 4) идеальная электрическая развязка входа и выхода - из перечисленного

Основными недостатками оптоэлектронных приборов являются: 1) малый коэффициент полезного действия; 2) наличие разнородных материалов; 3) малая пропускная способность оптического канала; 4) плохая электрическая развязка входа и выхода - из перечисленного

Основными характеристиками лазеров являются: 1) коэффициент усиления по мощности; 2) длина волны излучения; 3) мощность и энергия; 4) интегральная чувствительность; 5) качество излучения - из перечисленного

Параметрами полевого транзистора, характеризующими его свойства усиливать напряжение, являются: 1) крутизна стокозатворной характеристики; 2) внутреннее дифференциальное сопротивление; 3) статический коэффициент передачи тока затвора; 4) статический коэффициент передачи тока истока - из перечисленного

Плёночная схема:

По конструктивно-технологическим признакам интег­ральные схемы разделяют на: 1) кристаллические; 2) гибридные; 3) полупроводниковые; 4) проводниковые; 5) пленочные - из перечисленного

По принципу действия все фотоприемники подразделяются на: 1) полупроводниковые; 2) емкостные; 3) тепловые; 4) фотонные - из перечисленного

Полевой транзистор:

Полевые транзисторы бывают: 1) с управляющим переходом; 2) с управляющим затвором; 3) с изолированным затвором; 4) с изолированным переходом - из перечисленного

Полевые транзисторы с изолированным затвором обозначаются: 1) МПО; 2) МОД; 3) МОП; 4) МДП - из перечисленного

Полупроводник n-типа:

Полупроводниковая схема:

Полупроводниковый диод, напряже­ние на котором при прямом включении мало зависит от тока, называется

Полупроводниковый диод, предназначенный для работы в качестве конденсатора, емкость которо­го управляется напряжением, - это

При инверсном режиме работы транзистора

При прямом включении p-n-перехода:

Причинами поверхностных утечек в области p-n-перехода являются: 1) изменения температуры; 2) поверхностные энергетические уровни; 3) молекулярные и ионные пленки; 4) изменения давления - из перечисленного

Программно-управляемое устройство, построенное на одной или нескольких СБИС, осуществляющее процесс обработки информации и управляющее им, называется

Работа, совершаемая силами поля по переносу еди­ничного положительного заряда, называется

Режим работы транзистора, соответствующий токам коллектора, сравнимым с обратным током коллектора, называют

Режим, соответствующий второму квадранту характе­ристик транзистора (uкб<0), называют

Режим, соответствующий первому квадранту характе­ристик транзистора (uкб>0, iк>0), называют

Режимами работы фотодиодов являются: 1) фотогенератора; 2) фотоусилителя; 3) фотопреобразователя; 4) фотоизлучателя - из перечисленного

Симистор подобен

Слой полупроводника, имеющий большую концентрацию основных носителей заряда, называют

Состояние ячейки памяти на основе полевого транзистора с изоли­рованным затвором мо­жет сохраняться

Схему с общим эмиттером называют так потому, что эмиттер

Тиристор:

Тиристоры, которые могут быть выключены с помощью тока управ­ления, называются

Транзистор называют биполярным, так как

Увеличение проводимости, вызванное потоком фотонов, называется

Устойчивыми состояниями фототиристора являются: 1) открыт; 2) закрыт; 3) насыщен; 4) активен - из перечисленного

Фотодиод работает в режиме фотогенератора при

Фотодиод работает в режиме фотопреобразователя при

Фотодиоды описываются характеристиками

Фотоприемники, интегрирующие результаты воздействия излучения за длительный период, называются

Фотоприемники, использующие внешний или внутренний фотоэффект, называются

Фототранзисторы описываются характеристиками

Характерная особенность диода Шотки:

Характерной особенностью пробоя р-n-перехода является резкое

Цифровая интегральная микросхема, имеющая 400 элементов, является

Цифровая интегральная микросхема, имеющая 800 элементов, является

Ячейки памяти на основе полевого транзистора с изоли­рованным затвором выдерживают циклов записи/стирания не менее